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1、ZEISS卡爾·蔡司顯微鏡_德***進口掃描電子顯微鏡_場發射掃描電鏡SigmaSEM

Sigma 300 性價比高。Sigma 500 裝配有***流的背散射幾何探測器，可快速方便地實現基礎分析。SigmaSEM將高***的分析性能與場發射掃描技術相結合，利用成熟的 Gemini 電子光學元件,多種探測器可選：用于顆粒、表面或者納米結構成像是用于高品質成像與高***分析的場發射掃描電子顯微鏡.

2、ZEISS卡爾·蔡司顯微鏡_德***進口掃描電鏡_場發射掃描電鏡GeminiSEM

GeminiSEM 系列產品成像方便：即使在變換的壓力模式下，亦能獲得亞納米分辨率和高檢測效率。GeminiSEM 500 將新的電子光學設計與 Gemini 技術相結合，特別在低電壓模式下也能獲得較好的分辨率。在500V 電壓下能夠獲取1.2納米，在1KV下能夠獲取1.1納米的分辨率。或者采用可選配的樣品臺減速模式，在1KV下能獲取0.9 nm的分辨率。GeminiSEM 300具有出色的成像質量和極快的成像速度，是您大視野成像的合適之選。受益于Gemini鏡筒可進行高效的信號探測，超高分辨力、無變形的大面積成像

3、ZEISS卡爾·蔡司電子顯微鏡_德***進口掃描電子顯微鏡_SEM掃描電鏡Multi

MultiSEM 505/506掃描電子顯微鏡（SEM）專為 7 x 24 小時的連續、可靠運行而設計。只需簡單設置高性能數據采集流程，MultiSEM 便能夠獨立地自動完成高襯度圖像采集。MultiSEM配備有***個可容納 10 cm x 10 cm 大小樣品的樣品夾,91 條電子束同時工作，擁有出色的成像速度,在3小時內對1 cm2的區域成像，分辨率高達4nm。

4、ZEISS德***卡爾·蔡司顯微鏡_進口掃描電子顯微鏡_材料分析掃描電鏡MERLIN

只需使用***系列特定應用選件，MERLIN蔡司掃描電鏡便能獲取納米材料、半導體樣品、礦物、鋼鐵或合金的更豐富信息：

與 SEM/AFM（原子力顯微鏡）結合，可獲取半導體和納米材料的原子***信息

使用 ATLAS 大面積成像模塊拼接大尺寸樣品區域，用于半導體結構的設計驗證

觀測諸如礦物、陶瓷、玻璃和聚合物等非導電樣品，利用局部可變壓力帶來的電荷中和作用進行探測分析

借助實時 3DSM 成像模塊輕松掌握 MEMS 器件的形貌和表面粗糙度、納米結構、硬度測量產生的壓痕或法醫調查中的劃痕

GEMINI 鏡筒可用于磁性樣品檢測，圖像絕不失真。

通過增加 3View 超薄切片機實現大體積軟組織三維重構。

利用局部可變壓力模式帶來的電荷中和作用對絕緣纖維成像。

5、ZEISS卡爾·蔡司顯微鏡_德***進口掃描電子顯微鏡_材料分析掃描電鏡EVO18

EVO 18掃描電鏡是學術和研究機構使用的***款分析型掃描電子顯微鏡。五象限背散射電子探測器（BSE）有助于增強低電壓性能及提供更豐富的形態信息。對于非導電樣品，電子束襯管技術可有效提高分辨率。EVO 18 Research 為您提供卓越的成像品質，具有處理多種材料的能力。結合SmartSEM 軟件的易用性，使其成為多種研究應用的合適之選，范圍涵蓋半導體和電子技術、地質科學及材料研究。

6、ZEISS卡爾·蔡司掃描電子顯微鏡_德***進口掃描電鏡_材料分析掃描電鏡EVO

觸摸式EVO MA是適用于多用戶操作環境下的交互式掃描電子顯微鏡.EVO MA 擁有三種尺寸的樣品室及多種可選探測器和軟件:EVO MA 10是用于分析多種材料樣品的掃描電鏡,EVO MA 15 是適用于多種重量和尺寸樣品的掃描電鏡,EVO MA 25是適用于大尺寸和大重量樣品分析的掃描電鏡。升***后的 EVO MA 可以進行全環境掃描電鏡操作（EVO LS）。利用EVO MA的靈活度和分析成像，可將其廣泛應用于各種領域：

金屬與鋼材:

對金屬，骨骼以及非金屬進行成像并分析它們的內部結構

對精煉鋼與高***合金進行成分分析及晶體結構分析

共面的能譜儀及背散射電子探測器幾何設計能夠為我們呈現晶界，晶相鑒別，應變分析及滑移系活動的特性與顯微結構

材料研究:

檢測和開發材料

分析材料性能，如耐蝕性、耐熱性及涂鍍性能

使用配有電子束減速技術的高分辨背散射電子探測器與共面能譜儀及背散射電子探測器對材料進行全面深入的分析 

半導體產品與電子產品:

對印刷電路板及板***部件進行常規檢查

進行電子束感生電流實驗來判定組件性能

對樣本的腐蝕，裂縫及污染進行可視化分析與成分分析

航天航空與汽車制造:

大型樣品室及靈活耐用的載物臺能夠很好地對大型重型汽車零部件進行處理

在變壓模式下對高***復合材料，鍍膜及織物進行分析

對粒子及發動機磨損顆粒進行高性能成分分析

自然資源:

地質樣本的形態，礦物及成分分析

在變壓模式下，使用***聯電流探測器與高分辨背散射電子探測器對重要樣本進行成像，獲取全面詳細的結構及成分信息。

對清晰無痕的碳酸鹽地質樣本進行陰極熒光成像

ZEISS卡爾·蔡司顯微鏡_德國進口掃描電子顯微鏡產品參數示例——亞納米級分析能力MERLIN掃描電鏡參數:

分辨率

高達 0.6nm（STEM 模式）

探針電流

高達 300nA

加速電壓

20V 至 30 kV  

探測模式（可選）

In-lens（SE）

正光軸 in-lens 二次電子探測

In-lens（EsB）

用于材料襯度成像的正光軸in-lens 能量選擇背散射探測；in-lens SE 和 EsB 并行成像

角度選擇背散射探測器（AsB）

用于晶體表面的結構分析。

3DSM用于實時三維表面形貌成像。

STEM低電壓優化明場、4 象限暗場和大角度暗場透射成像。

選件（可選） 

ATLAS 大面積成像用于大尺寸樣品區域拼接。

原子力顯微鏡（AFM）技術擴展掃描電鏡性能，使其具有解析單原子層和檢測表面磁性或局部導電率的能力。

局部電荷中和可以實現非導電樣品成像。

3View原位超薄切片機可實現大體積軟組織三維重構。

Carl Zeiss Microscopy GmbH是蔡司集團的顯微鏡業務部。公司始于***間精密機械和光學儀器車間，由卡爾·蔡司先生于 1846 年創建。創立初期公司主要制作簡單精密型單鏡筒光學顯微鏡，隨后逐步開始生產諸如復合顯微鏡的更為復雜的產品。Ernst Abbe、Otto Schot 和 August K?hler 的研究成果對這***進步居功至偉。

第二次世界大戰和之后的德***分裂對二十世紀顯微鏡的研制及生產產生了重大的沖擊。1947 年, 位于耶拿的*大子公司被拆除，此后不久又在奧伯科亨重建。自此兩***蔡司公司被“鐵幕”分隔開來，獨立經營，直至 1991 年才重新合并。2006 年，生產光學顯微鏡的各部門正式合并組建了 Carl Zeiss MicroImaging GmbH 公司，隨后又于 2011 年與電子顯微鏡分部成功合并，遂成立了***的 Carl Zeiss Microscopy GmbH 公司，總部設在公司誕生地德***耶拿。除耶拿外，哥廷根（G?ttingen）和慕尼黑（Munich）分部也為生物學研究、公共衛生健康及工業領域提供***解決方案。公司產品包括光學顯微鏡、激光共聚焦掃描顯微系統、全系列電子顯微鏡和離子束顯微鏡，以及為圖像處理和圖像記錄量身定制的軟件解決方案。此外，我們還分別在奧伯科亨（Oberkochen）、皮博迪（Peabody）和劍橋（Cambridge）研制電子顯微鏡，所有這些儀器讓 Carl Zeiss Microscopy GmbH成為了全球顯微鏡系統的***制造商。

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