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EMPro 極致型多入射角激光橢偏儀

價  格:詢價

產  地:更新時間:2021-01-18 16:46

品  牌:型  號:EMPro

狀  態(tài):正常點擊量:2485

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上海非利加實業(yè)有限公司

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配送方式: 上海自提或三方快遞

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EMPro是針對高端研發(fā)和質量控制領域推出的極致型多入射角激光橢偏儀。

EMPro可在單入射角度或多入射角度下進行高精度、高準確性測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;亦可用于實時測量快速變化的納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的絕對厚度測量。
EMPro采用了量拓科技多項技術。
特點:
  • 原子層量***的極高靈敏度
    的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量原子層量***的極薄納米薄膜,膜厚精度達到0.01nm,折射率精度達到0.0001。
  • 百毫秒量***的快速測量
    水準的儀器設計,在保證極高精度和準確度的同時,可在幾百毫秒內快速完成***次測量,可滿足單原子膜層生長的實時測量。
  • 簡單方便的儀器操作
    用戶只需***個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數據***鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高***測量設置。
應用:
  • EMPro適合于高精度要求的科研和工業(yè)產品環(huán)境中的新品研發(fā)或質量控制。
  • EMPro可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數k。
  • EMPro可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質等),或液體(純凈物或混合物)。
技術指標:

項目
技術指標
儀器型號
EMPro31
激光波長
632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性1)
0.01nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性(1)
1x10-4 (對于Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間
與測量設置相關,典型0.6s
結構
PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度)
激光光束直徑
1mm
入射角度
40°-90°可手動調節(jié),步進5°
樣品方位調整
Z軸高度調節(jié):±6.5mm
二維俯仰調節(jié):±
樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)
樣品臺尺寸
平面樣品直徑可達Φ170mm
的膜層范圍
透明薄膜可達4000nm
吸收薄膜則與材料性質相關
外形尺寸
887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量(凈重)
25Kg
選配件
水平XY軸調節(jié)平移臺
真空吸附泵
軟件
ETEM軟件:
l 中英文界面可選;
l 多個預設項目供快捷操作使用;
l 單角度測量/多角度測量操作和數據擬合;
l 方便的數據顯示、編輯和輸出
l 豐富的模型和材料數據庫支持

   注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同***點、同***條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。
性能保證: 
  • 高穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、的采樣方法以及低噪聲探測技術,保證了高穩(wěn)定性和高準確度
  • 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
  • 穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合的采樣技術,保證了快速、穩(wěn)定測量
  • 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和絕對厚度的測量
  • ***體化集成式的儀器結構設計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
  • ***鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數據庫,方便用戶使用
 準確度測試:
在入射角40°~85°范圍內對Si基底上SiO2薄膜樣品橢偏角Psi和Delta測量值和理論擬合值如下圖所示: 
 
可選配件:

產品參數


產品介紹



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