晶圓測(cè)厚儀,晶圓厚度測(cè)試儀,硅片測(cè)厚儀,硅片厚度測(cè)量?jī)x采用非接觸式測(cè)量方法，對(duì)晶圓的厚度和表面形貌進(jìn)行測(cè)量，可廣泛用于：MEMS， 晶圓，電子器件，膜厚，激光打標(biāo)雕刻等工序或器件的測(cè)量。
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該晶圓測(cè)厚儀,晶圓厚度測(cè)量?jī)x,硅片測(cè)厚儀,硅片厚度測(cè)量?jī)x
專業(yè)為掩膜，劃線的晶圓，粘到藍(lán)寶石或玻璃襯底上的晶圓等各種晶圓的厚度測(cè)量而設(shè)計(jì)，同時(shí)，還適合50-300mm 直徑的晶圓的表面形貌測(cè)量。
該晶圓測(cè)厚儀,晶圓厚度測(cè)量?jī)x,硅片測(cè)厚儀,硅片厚度測(cè)量?jī)x采用紅外干涉技術(shù)，能夠精確給出襯底厚度和厚度變化 （TTV），也能實(shí)時(shí)給出超薄晶圓的厚度（掩膜過(guò)程中的晶圓），非常適合晶圓的研磨、蝕刻、沉淀等應(yīng)用。這種紅外干涉技術(shù)具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，諸多材料例 如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在紅外光束下都是透明的，非常容易測(cè)量，標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)量空間分辨率可達(dá)50微米，更小的測(cè)量點(diǎn)也可以做到。
該晶圓測(cè)厚儀,晶圓厚度測(cè)量?jī)x,硅片測(cè)厚儀,硅片厚度測(cè)量?jī)x具有探針系統(tǒng)配件，使用該探針系統(tǒng)后，可以高精度地測(cè)量圖案化晶圓,帶 保護(hù)膜的晶圓, 鍵合晶圓和帶凸點(diǎn)晶圓（植球晶圓），wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。
該晶圓測(cè)厚儀,晶圓厚度測(cè)量?jī)x,硅片測(cè)厚儀,硅片厚度測(cè)量?jī)x直接而精確地測(cè)量晶圓襯底厚度和厚度變化TTV，同時(shí)該晶圓測(cè)厚儀能夠測(cè)量晶圓薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness） 和凸點(diǎn)厚度（wafer pump height）.，溝槽深度 （trench depth）.
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