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磁控濺射技術

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)概述：

        NANO-MASTER杰出的濺射系統(tǒng)可構建成多腔體和多蒸發(fā)源的配置，在介質上濺射金屬和介質材料，可支持200mm的襯底。系統(tǒng)可以配置DC直流、RF射頻和Pulse DC脈沖直流等電源來進行序列濺射或共濺射。
        系統(tǒng)使用渦輪分子泵組，工藝腔極限真空可達5 x 10-7Torr。可以通過調節(jié)靶基距，實現(xiàn)所需要的均勻度和沉積速率的調節(jié)。旋轉樣品臺可提供薄膜*優(yōu)的均勻性。
        自動膜厚監(jiān)控儀可提供以目標膜厚為工藝終點條件的全自動工藝控制，達到目標膜厚時系統(tǒng)將自動停止工藝。樣品臺可加熱到800度，并可提供射頻偏壓。

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)產品特點：

• 電拋光14"立方體或21"x21"x22"不銹鋼優(yōu)化蒸鍍腔體

• 680 l/sec 渦輪分子泵，串接機械泵或干泵

• 4x 15CC pocket電子槍
  

• 電子束源和基片遮板

• 6KW開關電源，杰出的消弧性能

• 自動Pocket索引以及可編程的掃描控制器

• 膜厚監(jiān)測，可設置目標膜厚作為工藝終點條件

• 旋轉樣品臺，提供高均勻性

• 帶觀察視窗的腔門，便于放片/取片

• PC全自動控制，具有高度的可重復性

• Labview軟件的計算機全自動工藝控制控

• 多***密碼保護的授權訪問設計

• EMO保護以及完全的安全聯(lián)鎖

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)選配項：

• 基板支持加熱(可達800°C)或冷卻

• 支持旋轉GLAD斜角入射沉積

• 腔體尺寸可定制

• 1.5-5KW脈沖之流電源用于ITO/ZnO等類似材料

• 傾斜磁控槍

• 射頻偏壓樣品臺

• 離子源用于基片預清洗

• 離子輔助濺射

• 增加RF電源和DC電源用于共濺射

• 增加熱蒸發(fā)源和電子束蒸發(fā)源

• 增加MFC用于反應濺射

• 自動上下片

• 其它包含冷泵等的各種真空泵選配

NSC-4000（M）磁控濺射系統(tǒng)應用：

• 晶圓片、陶瓷片、玻璃白片以及磁頭等的金屬以及介質涂覆

• 光學涂覆和ITO涂覆

• 保護涂層

• 帶高溫樣品臺和脈沖DC電源的硬涂層

• 微電子圖案

• OLED應用中的TCO透明導電薄膜** 硬涂層